單項選擇題關(guān)于巴黎系統(tǒng)的插植基本規(guī)則，描述錯誤的是（）

A.所有的放射源的線比釋動能率相等
B.放射源是相互平行的直線源
C.插植時各直線源強(qiáng)度及長度相等
D.各源的中心在同一平面，即中心平面
E.多平面插植放射源排列為長方形或等邊三角形


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3.單項選擇題采用等中心方法，拍攝兩張互相垂直的影象片，此種放射源的定位技術(shù)稱為（）

A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)

6.單項選擇題近距離照射中，距離源1cm和3cm之間的劑量變化為（）

A.1倍
B.3倍
C.6倍
D.9倍
E.16倍

7.單項選擇題關(guān)于高能電子束的百分深度劑量，描述錯誤的是（）

A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.劑量跌落區(qū)
E.X射線污染區(qū)

8.單項選擇題電子束旋轉(zhuǎn)治療時的β角，射野寬W和曲率半徑r的關(guān)系是（）

A.W=2rSin（β/2）/[1-（f/r）Cos（β/2）]
B.W=2rSin（β/2）/[1-（r/F.Cos（β/2）]
C.W=2rSin（f/2）/[1-（r/F.Cos（β/2）]
D.W=2rSin（β/2）/[1-（r/F.Cos（f/2）]
E.W=2rCos（β/2）/[1-（r/F.Sin（β/2）]