A.proimos
B.Trump
C.Takahashi
D.Green
E.Umegaki
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A.4mm
B.6mm
C.12mm
D.16mm
E.19mm
A.電子注量
B.電子密度
C.物理密度
D.原子序數(shù)
E.原子量
A.電子注量
B.電子密度
C.物理密度
D.原子序數(shù)
E.原子量
A.物質(zhì)形態(tài)
B.原子序數(shù)
C.電子密度
D.質(zhì)量密度
E.化學(xué)成分
A.CRT
B.SRT
C.C-CRT
D.C-SRT
E.3DCRT
最新試題
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。