A.10-60KV
B.60-160KV
C.180-400KV
D.400KV-1MV
E.2-50MV
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你可能感興趣的試題
A.射線質(zhì)
B.射線入射角度
C.照射劑量
D.洗片條件
E.照射劑量率
A.依賴于電離室的幾何形狀
B.依賴于電離室的制作材料
C.與電離室的比釋動(dòng)能校準(zhǔn)因子NK有關(guān)
D.與照射量校準(zhǔn)因子NX有關(guān)
E.與吸收劑量校準(zhǔn)因子Cλ,CE有關(guān)
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.36;74.2d
E.0.028;59d
A.一維物理楔形板
B.動(dòng)態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動(dòng)態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描
A.乳腺癌術(shù)后胸壁照射
B.宮頸癌
C.食道癌
D.淋巴瘤
E.肺癌
最新試題
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
對加速器射野的對稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。