單項(xiàng)選擇題Clarkson積分的技術(shù)方法是用于計(jì)算（）

A.PDD的源皮距修正值
B.TMR的源皮距修正值
C.TAR的源皮距修正值
D.不規(guī)則射野的等效方野
E.不規(guī)則射野的面積


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)于劑量建成區(qū)的描述，不正確的是（）

A.兆伏級(jí)的光子線在表面到最大劑量深度之間的區(qū)域稱之為劑量建成區(qū)
B.到達(dá)最大劑量深度處時(shí)，此時(shí)的深度大致相當(dāng)于次級(jí)帶電粒子的射程
C.在最大劑量深度后的區(qū)域，光子線產(chǎn)生的次級(jí)電子隨著深度的增加而增加
D.在最大劑量深度前，高能次級(jí)電子對(duì)劑量的貢獻(xiàn)隨深度的增加而增加
E.在計(jì)量建成區(qū)內(nèi)，光子線強(qiáng)度隨著深度的增加而減小

2.單項(xiàng)選擇題電子束治療多為表淺的腫瘤，一般選擇深度（）

A.<2cm
B.<3cm
C.<5cm
D.<10cm
E.<25cm

4.單項(xiàng)選擇題等劑量分布曲線反映了（）

A.射野中心軸上劑量分布的情況
B.垂直于射野中心軸劑量分布的情況
C.模體中百分深度劑量相同的點(diǎn)的連線
D.同一深度處，模體內(nèi)劑蓋的分布
E.射野內(nèi)劑量分布的均勻性

5.單項(xiàng)選擇題射野圖像質(zhì)量比模擬定位圖像質(zhì)量差的原因是（）

A.射線束能量高
B.射線束劑量率高
C.放射源尺寸大
D.曝光時(shí)間長
E.照射距離長

6.單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)為獲得計(jì)劃設(shè)計(jì)的劑量分布，需要遵循選擇和設(shè)置放射源的通用規(guī)則，其中不包括（）

A.必須使用線源且相互平行
B.所有放射源的中心必須位于同一平面
C.所有線源的強(qiáng)度必須注明和均勻
D.相鄰放射源的間距必須相等
E.可使用不同放射性核素

8.單項(xiàng)選擇題高能加速器的防護(hù)門設(shè)計(jì)一般不考慮（）

A.中子慢化
B.中子俘獲
C.中子與門產(chǎn)生的γ射線
D.散射、漏射線
E.感生射線

9.單項(xiàng)選擇題在湮滅輻射的論述中，不正確的是（）

A.當(dāng)一個(gè)粒子與其反粒子發(fā)生碰撞時(shí)，其質(zhì)量全部轉(zhuǎn)化為γ輻射能量
B.正，反粒子發(fā)生碰撞產(chǎn)生γ輻射也是一種核反應(yīng)
C.正，負(fù)電子發(fā)生碰撞時(shí)，產(chǎn)生兩個(gè)能量為0.511MeVγ光子
D.正，負(fù)電子發(fā)生碰撞時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)能量為1.022MeVγ光子
E.只有靜止能量的正，負(fù)電子在湮滅時(shí)，產(chǎn)生的兩個(gè)γ光子運(yùn)動(dòng)方向相反

10.單項(xiàng)選擇題關(guān)于比釋動(dòng)能和吸收劑量之間關(guān)系的敘述，不正確的是（）

A.本質(zhì)上比釋動(dòng)能就是給予介質(zhì)的吸收劑量
B.比釋動(dòng)能只適用于間接致電離輻射，而吸收劑量適用于所有類型輻射
C.在電子平衡條件下可由比釋動(dòng)能計(jì)算吸收劑量
D.X射線能量低時(shí)，產(chǎn)生的次級(jí)電子能量低射程短，介質(zhì)中某點(diǎn)的吸收劑量等于比釋動(dòng)能
E.當(dāng)韌致輻射的能量損失可以忽略時(shí)，比釋動(dòng)能和吸收劑量數(shù)值上相等