A.晚S>G2M>早S>G1
B.早S>G2M>G1>晚S
C.G2M>G1>早S>晚S
D.G2M>晚S>早S>G1
E.早S>G1>G2M>晚S
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.可有效地避免對靶區(qū)后深部組織的照射
B.皮膚的劑量相對較高,且隨電子的能量增加而增加
C.百分深度劑量隨射野大小特別在射野較小時變化明顯
D.輸出劑量按平方反比定律計算
E.主要用于治療表淺或偏心的腫瘤和侵潤淋巴結(jié)
A.電離室、熱釋光、半導(dǎo)體和量熱法等
B.電離室、半導(dǎo)體、量熱法和化學(xué)劑量計法等
C.電離室、半導(dǎo)體、量熱法和膠片法等
D.半導(dǎo)體、熱釋光、膠片法和化學(xué)劑量計等
E.電離室、半導(dǎo)體、熱釋光和膠片法等
A.偏轉(zhuǎn)磁鐵
B.真空的飛行管
C.聚焦導(dǎo)航線圈
D.聚焦線圈τ
E.磁控管
A.光釋光系統(tǒng)
B.原子核徑跡乳膠
C.膠片劑量計
D.熱釋光劑量計
E.電子個人劑量計
A.反射系數(shù)
B.吸收系數(shù)
C.總線性衰減系數(shù)
D.碰撞系數(shù)
E.彈性系數(shù)
A.Cu-Sn-Al
B.AI-Sn-Cu
C.Cu-Al-Sn
D.Sn-Cu-Al
E.A1-Cu-Sn
A.電離室
B.正比計數(shù)器
C.閃爍探測器
D.半導(dǎo)體探測器
E.GM計數(shù)器
A.開野與楔形野的數(shù)據(jù)都必須輸入
B.每個射野的輸出劑量率
C.典型的光子射野數(shù)據(jù)是中心軸PDD和不同深度的OAR
D.射野輸出因子
E.使用電離室測量電子束PDD應(yīng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換
A.越清晰
B.質(zhì)量越高
C.不受影響
D.對比度越低
E.對比度越高
A.锎—225
B.鍶—90
C.銥—192
D.銫—137
E.碘—125
最新試題
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
直線加速器使用的射野最大為()。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
實(shí)際患者治療時,無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。