A.與核外電子發(fā)生彈性碰撞飛
B.與核外電子發(fā)生非彈性碰撞
C.與原子核發(fā)生彈性碰撞
D.與原子核發(fā)生非彈性碰撞
E.與原子核發(fā)生核反應(yīng)
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A.主量子數(shù)
B.宇稱
C.軌道角動(dòng)量量子數(shù)
D.軌道方向量子數(shù)
E.自旋量子數(shù)
A.經(jīng)驗(yàn)?zāi)P?br />
B.雙群模型
C.陣化擴(kuò)散方程模型
D.筆形束模型
E.“原射”和散射分量的分別計(jì)算
A.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
B.前者可考慮、計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度
C.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度
D.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
E.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
A.0.6%
B.0.9%
C.1%
D.1.2%
E.1.7%
A.受到光子和次級電子通量改變的影響
B.原射線在該組織內(nèi)的衰減發(fā)生變化(后方)
C.不同介質(zhì)中該點(diǎn)的吸收劑量之比等于衰減吸收系數(shù)之比
D.次級電子通量的改變
E.靠近不同組織的邊界處由于組織的衰減不同而劑量會(huì)明顯增加
A.PTV
B.CTV
C.OAR
D.GTV
E.ITV
A.水
B.有機(jī)玻璃
C.空氣
B.固體水
E.人體體模
A.形成的半影越小越好
B.葉片運(yùn)動(dòng)速度和加速度越大越好
C.葉片寬度越窄越好
D.葉片凸凹槽的設(shè)計(jì)無關(guān)緊要
E.機(jī)械穩(wěn)定性和到位精度越高越好
A.放射光致發(fā)光系統(tǒng)
B.膠片劑量計(jì)
C.熱釋光劑量計(jì)
D.電子個(gè)人劑量計(jì)
E.原子核徑跡乳膠
A.產(chǎn)生光子的能量損失率
B.產(chǎn)生質(zhì)子的能量損失率
C.產(chǎn)生中子的能量損失率
D.產(chǎn)生質(zhì)子或中子的能量損失率
E.產(chǎn)生電子或正電子的能量損失率
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級準(zhǔn)直器。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。