A.使用立體定位框架固定
B.正常腦組織受量低
C.擺位精度高
D.單次劑量低
E.靶區(qū)邊緣外劑量下降銳利
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A.室壁厚度
B.次級(jí)電子的最大射程
C.次級(jí)電子的平均射程
D.最大劑量深度
E.平衡帽厚度
A.電子
B.質(zhì)子
C.α粒子
D.中子
E.反沖核
A.光電效應(yīng)
B.康普頓效應(yīng)
C.電子對(duì)效應(yīng)
D.電荷積累效應(yīng)
E.電離室干效應(yīng)
A.<1mm
C.<3mm
D.<4mm
E.<5mm
A.放大線國
B.四端環(huán)流器
C.均整濾過器
D.電子散射箔
E.偏轉(zhuǎn)磁鐵
A.電離室
B.正比計(jì)數(shù)器
C.GM計(jì)數(shù)器
D.閃爍探測(cè)器
E.半導(dǎo)體探測(cè)器
A.調(diào)強(qiáng)放射治療與適形放射治療唯一的區(qū)別是使用逆向泊療計(jì)劃設(shè)計(jì)
B.調(diào)強(qiáng)放射治療只能使用筆形束的劑量計(jì)算方法
C.調(diào)強(qiáng)放射治療的實(shí)施方式只有動(dòng)態(tài)調(diào)強(qiáng)和靜態(tài)調(diào)強(qiáng)兩種
D.調(diào)強(qiáng)放射治療通常是在射野內(nèi)進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)整
E.調(diào)強(qiáng)放射治療只適用于凹形靶區(qū)
A.探測(cè)中子
B.探測(cè)電子
C.大致確定能量
D.準(zhǔn)確測(cè)定劑量
E.快速定位泄漏位置
A.X射線管
B.高壓發(fā)生器
C.控制臺(tái)
D.冷卻系統(tǒng)
A.射野大小
B.射線能量
C.入射角度
D.測(cè)量深度
E.空氣濕度
最新試題
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
直線加速器使用的射野最大為()。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。