A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
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A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng)，與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng)，與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱，與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱，與受照體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
E.只和受照最大劑量有關(guān)
A.能量越高，射野越小，表面劑量越高
B.能量越高，射野越大，表面劑量越高
C.能量越低，射野越小，表面劑量越高
D.能量越低，射野越大，表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小，射野大小對(duì)表面劑量影響很大
A.對(duì)于60Coγ射線，任何深度處等劑量由線射線中心軸上的值都是最小的，隨著向射野邊界靠近而增加
B.對(duì)于60Coγ射線，任何深度處等劑量曲線射線中心軸上的值都是最小的，隨著向射野邊界靠近而減少
C.對(duì)于兆伏級(jí)光子線，在淺層深度處，同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大，這是由于均整塊的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
D.對(duì)于兆伏級(jí)光子線，在淺層深度處，同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大，這是由于散射箔的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
E.對(duì)于兆伏級(jí)光子線，在淺層深度處，同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大，這是由于光子線的靶設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
A.不會(huì)改變
B.射野的劑量均勻性不變，半影區(qū)增寬
C.射野的劑量均勻性變好，半影區(qū)增寬
D.射野的劑量均勻性變劣，半影區(qū)變窄
E.射野的劑量均勻性變劣，半影區(qū)增寬
A.l個(gè)
B.2個(gè)
C.4個(gè)
D.8個(gè)
E.16個(gè)
A.計(jì)時(shí)器的準(zhǔn)確性
B.18mm頭盔準(zhǔn)直器的總輸出劑量
C.每個(gè)頭盔的相對(duì)輸出因子
D.每個(gè)靶點(diǎn)的定位坐標(biāo)
E.應(yīng)急電源
A.機(jī)器輸出劑量率的變化
B.外照射中的平方反比參數(shù)
C.射野中擋塊對(duì)輸出劑量的影響
D.托盤因子的影響
E.契形因子的影響
A.1.138×10-4C/kg div
B.1.798×10-4C/kg div
C.2.936×10-4C/kg div
D.4.074×10-4C/kg div
E.5.21×10-4C/kg div
A.能量響應(yīng)
B.信噪比
C.掃描時(shí)間
D.對(duì)比分辨率
E.空間分辨率
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
直線加速器使用的射野最大為（）。
源皮距越小，百分深度劑量越大。
低LET射線的RBE值（）1.0，高LET射線的RBE值（）2.0。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
帶電粒子入射到物體時(shí)，沒有確定的射程。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。