A.細胞數(shù)
B.增殖速度
C.分化程度
D.pH值
E.射線強度
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A.工作負荷
B.使用因子
C.居住因子
D.距離因子
E.本底因子
A.離軸距離
B.模體深度
C.射野形狀和大小
D.均整器設(shè)計
E.放射源的大小
A.深部X射線、高能電子線、高劑量率鎖-192后裝放射源
B.鈷-60γ射線、高能電子線、高劑量率銥-192后裝放射源
C.深部X射線、低能電子線、低能X射線
D.鈷-60γ射線、低能電子線、高劑量率銥-192后裝放射源
E.鈷-60γ射線、高能電子線、低劑量率銥-192后裝放射源
A.溫度
B.氣壓
C.劑量率
D.入射角度
E.入射光子能譜
A.0.6%
B.1.6%
C.3.2%
D.20%
E.40%
A.所有X射線能量范圍應(yīng)使用相同的濾過板
B.140kV以下用鋁,140kV以上用銅或銅十鋁復(fù)合過濾
C.使用復(fù)合過濾板時應(yīng)沿射線方向先放原子序數(shù)小的,后板原子序數(shù)大的
D.使用濾過板不會使射線強度下降
E.經(jīng)過濾過板后的X射線的半價層比原來低
A.光釋光系統(tǒng)
B.放射光致發(fā)光玻璃劑量學(xué)系統(tǒng)
C.熱釋光劑量計
D.膠片劑量計
E.電子個人劑量計
A.有絲分裂前期(G2)
B.有絲分裂期(M)
C.DNA合成前期(G1)
D.DNA合成期(S)
E.靜止期(G0)
A.<1mm
C.<3mm
D.<4mm
E.<5mm
A.治療技術(shù)的描述
B.總參考空氣比釋動能
C.參考區(qū)的描述
D.參考點劑量
E.劑量均勻性
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
影響靶點位置精確度的因素包括機械精度,定位精度和擺位精度。
對射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻主要源于二級準(zhǔn)直器。
直線加速器使用的射野最大為()。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
光電效應(yīng)時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。