A.10uSv到約100uSv
B.100uSv到約1mSv
C.1mSv到約100mSv
D.100mSv到約1Sv
E.10uSv到約10Sv
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A.韌致輻射
B.直接電離輻射
C.特征輻射
D.間接電離輻射
E.雜散輻射
A.小于±60°
B.±60°~±80°
C.±81°~±100°
D.±101°~±120°
E.大于121°
A.復(fù)合區(qū)
B.電離室區(qū)
C.正比區(qū)
D.受限正比區(qū)
E.GM區(qū)
A.加速管輸出窗外
B.初級(jí)準(zhǔn)直器入口
C.X射線靶與均整過(guò)濾器之間
D.散射箔與次級(jí)準(zhǔn)直器之間
E.次級(jí)準(zhǔn)直器下緣
A.1cm
B.2cm
C.5cm
D.10cm
E.100cm
最新試題
對(duì)加速器射野的對(duì)稱(chēng)性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。