A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Nk
E.Nd
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A.電離室中心前方的0.5r處
B.電離室中心前方的0.55r處
C.電離室中心前方的0.6r處
D.電離室中心前方的0.65r處
E.電離室中心前方的0.7r處
A.深吸氣屏氣
B.治療跟蹤(Tracking)
C.治療開始前矯正體位
D.主動(dòng)呼吸控制(ElektaABC.
E.呼吸門控(VarianRPM系統(tǒng))
A.CT
B.MRI
C.DSR
D.CT與DSA圖像的關(guān)聯(lián)映射
E.CT與MRI的圖像融合
A.初級(jí)電子最大射程
B.次級(jí)電子最大射程
C.皮膚下2cm
D.X(r)射線的射程
E.皮膚下0.5cm
A.0.5%
B.1.0%
C.1.5%
D.2.0%
E.2.5%
最新試題
源皮距越小,百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
伽瑪?shù)栋悬c(diǎn)位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。