A.分割次數(shù)
B.照射技術(shù)
C.受照深度
D.劑量率
E.照射體積
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A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Ng
E.Nd
A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Nk
E.Nd
A.不同層面的輪廓圖方式表示
B.三維的輪廓圖形方式表示
C.CT值數(shù)據(jù)圖像方式表示
D.DRR圖像方式表示
E.CT值的三維矩陣轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的三維電子密度方式來(lái)表示
A.6~9MeV
B.9~12MeV
C.12~15MeV
D.15~18MeV
E.18~20MeV
A.50厘米
B.25厘米
C.15厘米
D.10厘米
E.5厘米
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。