單項(xiàng)選擇題單晶體產(chǎn)生塑性變形時(shí)，主要取決于滑移面上的（）

A、正應(yīng)力
B、切應(yīng)力
C、正應(yīng)力或切應(yīng)力
D、正應(yīng)力和切應(yīng)力


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1.單項(xiàng)選擇題體心立方晶體結(jié)構(gòu)的原子最密排晶向族為（）。

A、[111]
B、<111>
C、[110]
D、<112>

2.單項(xiàng)選擇題面心立方晶體結(jié)構(gòu)的滑移系是（）

A、{111}<110>
B、{110}<111>
C、{110}<112>
D、{110}<123>

3.單項(xiàng)選擇題單晶體的臨界分切應(yīng)力值與（）有關(guān)。

A.外力相對(duì)于滑移系的取向
B.拉伸時(shí)的屈服應(yīng)力
C.晶體的類型和純度
D.拉伸時(shí)的應(yīng)變大小

4.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)方向處處垂直于位錯(cuò)線，在運(yùn)動(dòng)中是可變的，晶體做相對(duì)滑動(dòng)的方向（）

A.隨位錯(cuò)線運(yùn)動(dòng)方向而改變
B.始終是柏氏矢量方向
C.始終是外力的方向
D.垂直于柏氏矢量方向

5.單項(xiàng)選擇題在晶體滑移過(guò)程中（）

A、由于位錯(cuò)不斷移出滑移面，位錯(cuò)密度隨形變量的增加而減少
B、由于位錯(cuò)的增殖，位錯(cuò)密度隨形變量的增加而增高
C、由于晶界不斷吸收位錯(cuò)，位錯(cuò)密度隨形變量的增加而減少
D、由于位錯(cuò)的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位錯(cuò)的密度基本不變