問答題什么是多重中斷?實(shí)現(xiàn)多重中斷的必要條件是什么?
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刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
題型:單項(xiàng)選擇題
計(jì)算機(jī)的I/O接口是()之間的交接界面。
題型:單項(xiàng)選擇題
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。
題型:單項(xiàng)選擇題
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。
題型:單項(xiàng)選擇題
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。
題型:單項(xiàng)選擇題
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
題型:單項(xiàng)選擇題
軟件堆棧在工作中()移動(dòng)。
題型:單項(xiàng)選擇題
()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
題型:單項(xiàng)選擇題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
題型:單項(xiàng)選擇題
使用硬件堆棧時(shí),其中()移動(dòng)。
題型:單項(xiàng)選擇題