A.800ns
B.250ns
C.200ns
D.120ns
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A.電平的高低變化
B.電流的幅值變化
C.電流的相位變化
D.電流的頻率變化
A.內(nèi)圈磁道存儲的信息比外圈磁道少
B.無論哪條磁道存儲的信息量均相同,但各磁道的存儲密度不同
C.內(nèi)圈磁道的扇區(qū)少使得它存儲的信息比外圈磁道少
D.各磁道扇區(qū)數(shù)相同,但內(nèi)圈磁道上每扇區(qū)存儲的信息少
A.17條
B.19條
C.21條
D.522條
A.SRAM
B.UV-EPROM
C.NV-RAM
D.EEPROM
A.EPROM
B.DRAM
C.SRAM
D.EEPROM
最新試題
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對系統(tǒng)帶來的影響主要是()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
在堆棧計(jì)算機(jī)中,保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場所是()。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。