A.組合邏輯型控制器
B.微程序控制器
C.存儲(chǔ)邏輯型控制器
D.運(yùn)算器
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A.2
B.3
C.12
D.13
A.下面一層實(shí)現(xiàn)的功能相對復(fù)雜
B.上面一層實(shí)現(xiàn)的功能相對強(qiáng)大
C.使用下面一層的功能相對容易
D.使用上面一層的功能呢相對困難
A.小數(shù)點(diǎn)固定在最低位數(shù)的后面
B.小數(shù)點(diǎn)固定在最高位數(shù)的后面
C.小數(shù)點(diǎn)的位置可以隨意指定
D.沒有小數(shù)的數(shù)
A.24根針排成1列
B.24根針排成2列
C.24根針排成3列
D.24根針排成4列
A.電容
B.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.晶體管
D.磁場
最新試題
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級(jí)觀察者角度看到的機(jī)器被稱為(),只需要通過該級(jí)語言來了解和使用。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對系統(tǒng)帶來的影響主要是()。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。