A.與
B.或
C.非
D.積
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A.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器兩種類型
B.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都是揮發(fā)性的,即只要關(guān)機(jī)(切斷電源),所存儲(chǔ)的信息就會(huì)全部丟失
C.靜態(tài)存儲(chǔ)器,即使不斷電,存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的信息也會(huì)慢慢丟失
D.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器需要不斷刷新
A.順序存取
B.直接存取
C.隨機(jī)存取
D.只讀存取
A.指令字長不固定,采用多種尋址方式
B.可訪存指令不受限制
C.各種指令的執(zhí)行時(shí)間和使用頻率相差很大
D.大多數(shù)CISC采用微程序控制
A.串行傳輸
B.并行傳輸
C.復(fù)合傳輸
D.消息傳輸
A.掌握總線控制權(quán)的設(shè)備
B.申請(qǐng)作為從設(shè)備的設(shè)備
C.被主設(shè)備訪問的設(shè)備
D.總線裁決部件
最新試題
將十進(jìn)制數(shù)(-0.288)10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù),要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位,正確結(jié)果為()。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為()。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
計(jì)算機(jī)的I/O接口是()之間的交接界面。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。