A.VO
B.VI
C.V2
D.V3
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A.連接狀態(tài)
B.IDLE態(tài)
C.任何狀態(tài)
D.DEREGISTERED態(tài)
A.IISS
B.UE
C.eNodeB
D.MME
A.這個數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)給eNodeB,eNodeB發(fā)起尋呼流程
B.MME發(fā)起尋呼流程
C.這個數(shù)據(jù)包被SGW丟棄
D.PGW發(fā)起尋呼流程
A.EMM-STANDBY
B.ECM-CONNECTED
C.ECM-IDLE
D.EMM-DEREGISTERED
最新試題
附著不成功,沒有GTPv2消息,MME回復(fù)attach reject,cause是network failure,分析并給出一種可能的原因。
靜態(tài)配置2個MME間的S10接口,需要哪些步驟?如何檢測鏈路已通?
簡要說明TD-LTE物理層幀結(jié)構(gòu)。
在定點(diǎn)測試—法線方向好中差定點(diǎn)上下行吞吐量測試”中“好點(diǎn),中點(diǎn),差點(diǎn)”定義的SINR和RSRP一般分別是多少?
簡述RSRP,RSSI,RSRQ的定義。
在MME上配置ENODEB,需要規(guī)劃并配置哪些數(shù)據(jù)?
簡述LTE系統(tǒng)中TAC規(guī)劃的主要原則。
簡要說明TD-LTE特殊子幀的幀結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
簡述室內(nèi)分布系統(tǒng)的設(shè)計規(guī)劃原則。
工程師在現(xiàn)場優(yōu)化時為控制覆蓋,對1個使用兩通道天線的小區(qū)進(jìn)行了降功率6db操作(調(diào)整powerscaling),達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo),該小區(qū)兩個通道的PMAX均為10w,在sib2中收到的Referfencesignalpower為12dbm,pb=1;RRCconnctionsetup中收到的pa=0。請簡述這一操作的不良后果。