多項(xiàng)選擇題下列原因中,產(chǎn)生局部放電的原因有()。

A.由于絕緣體內(nèi)部或表面存在氣隙(泡)而導(dǎo)致氣隙(泡)內(nèi)的放電
B.絕緣體中若有導(dǎo)電雜質(zhì)存在,則在此雜質(zhì)邊緣由于電場(chǎng)集中,也會(huì)出現(xiàn)局部放電
C.在高電壓端頭上,如電纜的端頭等部位,由于電場(chǎng)集中,而且沿面放電的場(chǎng)強(qiáng)比較低,往往就沿著介質(zhì)與空氣的交界面上產(chǎn)生表面局部放電
D.絕緣結(jié)構(gòu)形式


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1.多項(xiàng)選擇題在交流電壓下,兩種不同介電系數(shù)的絕緣串聯(lián)使用,哪個(gè)說(shuō)法不正確()

A.電壓高
B.電場(chǎng)強(qiáng)度高
C.電流大
D.電流密度高
E.泄漏電流大

2.多項(xiàng)選擇題通過(guò)做變壓器短路試驗(yàn),可以發(fā)現(xiàn)變壓器的缺陷有()。

A.變壓器各金屬結(jié)構(gòu)件(如電容環(huán)、壓板、夾件等)或油箱壁中,由于漏磁通所致的附加損耗過(guò)大
B.油箱蓋或套管法蘭等的渦流損耗過(guò)大
C.其它附加損耗的增加
D.繞組的并繞導(dǎo)線有短路或錯(cuò)位

3.多項(xiàng)選擇題非額定條件下的空載試驗(yàn)是指哪些條件()。

A.降低電壓試驗(yàn)
B.非額定頻率下的空載試驗(yàn)
C.電壓波形的校正
D.電流波形的校正

4.多項(xiàng)選擇題對(duì)運(yùn)行的懸式絕緣子串中劣化絕緣子的檢出測(cè)量,可以采用的試驗(yàn)方法有()。

A.測(cè)量電位分布
B.火花間隙放電
C.熱紅外測(cè)量
D.測(cè)量絕緣電阻

5.多項(xiàng)選擇題變壓器中性點(diǎn)過(guò)電壓保護(hù)不包括()。

A.放電間隙
B.帶串聯(lián)間隙金屬氧化物避雷器
C.接地刀閘
D.無(wú)間隙金屬氧化物避雷器

最新試題

直流泄漏電流試驗(yàn)?zāi)芊从炒少|(zhì)絕緣的裂紋、夾層絕緣內(nèi)部受潮及局部斷裂、絕緣的沿面炭化等。

題型:判斷題

電容器制造的主要材料為電容器紙、電容器油和金屬或瓷外殼。

題型:判斷題

主變高壓套管帶電檢測(cè),其檢測(cè)阻抗能否直接串入電容接地線測(cè)量。

題型:判斷題

交流耐壓試驗(yàn)電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦,兩個(gè)半波應(yīng)完全一樣,且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。

題型:判斷題

試驗(yàn)變壓器波形畸變的根本原因是調(diào)壓器和試驗(yàn)變壓器的漏抗以及電容負(fù)載所造成。

題型:判斷題

重大缺陷消缺率和及時(shí)率的要求分別為90%和85%。

題型:判斷題

直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí),高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過(guò)硅堆的額定反峰電壓,其額定整流電流應(yīng)大于工作電流,并有一定的裕度。

題型:判斷題

在規(guī)定時(shí)間內(nèi)承載被保護(hù)部分的負(fù)載電流或(和)故障電流,以防止電容器過(guò)電壓或金屬氧化物限壓器過(guò)負(fù)荷的受控觸發(fā)間隙。

題型:判斷題

線路用帶串聯(lián)間隙金屬氧化物避雷器,每年根據(jù)運(yùn)行年限和放電動(dòng)作次數(shù)等因素確定抽樣比例,將運(yùn)行時(shí)間比較長(zhǎng)或動(dòng)作次數(shù)比較多的避雷器拆下進(jìn)行預(yù)防性試驗(yàn)。

題型:判斷題

考慮系統(tǒng)短路電流產(chǎn)生的動(dòng)穩(wěn)定和熱穩(wěn)定效應(yīng)的電氣設(shè)備有變壓器、斷路器、電流互感器、耦合電容器。

題型:判斷題