簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。

VSP 測(cè)井是一種高分辨率的（）勘探技術(shù)。

微電阻率成像測(cè)井按井眼條件選擇扶正器，測(cè)井時(shí)極板壓力（）。

微電阻率成像三井徑曲線變化正常，除橢圓井眼外，在井眼規(guī)則處應(yīng)（）。

核磁共振測(cè)量結(jié)果幾乎不受（）影響。

（）古潛山是指一定地質(zhì)時(shí)期由褶皺作用形成的古山頭，潛山本身就是一個(gè)背斜。

核磁共振弛豫受三種機(jī)制控制：表面弛豫、體積弛豫和（）。

影響核磁共振測(cè)井的主要因素包括（）、孔隙流體及巖石的潤(rùn)濕性和地層磁化率差異。

在（）的概念中，沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是：沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素，沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。

井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí)，發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的，與介質(zhì)的電阻率（）。