A.晶片直徑大
B.頻率低
C.指向性好
D.晶片直徑小
E.頻率高
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A.濃度
B.價(jià)格
C.形狀
D.聲阻抗
E.耦合層厚度
A.垂直線性
B.水平線性
C.晶片尺寸
D.頻率與K值
E.探頭形式
A.始波寬度
B.入射點(diǎn)
C.聲束寬度
D.回波頻率
E.K值
A.聲速
B.聲壓
C.聲強(qiáng)
D.內(nèi)應(yīng)力
E.外應(yīng)力
A.工件表面粗糙度
B.工件材質(zhì)
C.工件表面形狀
D.工件邊界
E.工件溫度
最新試題
對(duì)于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波高于平底面,會(huì)使定量誤差增加。
檢測曲面工件時(shí),探頭與工件接觸有兩種情況,一是平面與曲面接觸,另一種是將探頭斜楔磨成曲面,探頭與工件曲面接觸。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。