單項(xiàng)選擇題下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲(chǔ)器及高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）

A.ARM芯片片內(nèi)配有的Flash存儲(chǔ)器，通常用作系統(tǒng)的程序存儲(chǔ)器
B.ARM芯片內(nèi)的Cache采用SRAM
C.高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口只能用于擴(kuò)展系統(tǒng)的程序存儲(chǔ)器
D.高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口與AMBA的系統(tǒng)總線部分相連


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1.單項(xiàng)選擇題微硬盤是一種由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展而來(lái)的外部存儲(chǔ)設(shè)備，下面關(guān)于微硬盤的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.目前1.8英寸的微硬盤容量已達(dá)幾百GB
B.帶有數(shù)據(jù)緩存，有利于提高數(shù)據(jù)傳輸率
C.采用USB接口時(shí)，一般須另加外部電源
D.為使微硬盤適用于多種手持裝置，其接口可采用多種標(biāo)準(zhǔn)，如CF卡、PCMCIA、USB 2.0、ATA等

2.單項(xiàng)選擇題下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的DMA控制器的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）

A.DMA是指直接存儲(chǔ)器訪問(wèn)
B.嵌入式系統(tǒng)通過(guò)使用DMA控制器可降低處理器內(nèi)核在數(shù)據(jù)傳輸操作中的負(fù)擔(dān)
C.ARM處理器中的DMA控制器與AMBA的系統(tǒng)總線部分相連
D.ARM處理芯片中的串行通信接口、USB接口等，只能通過(guò)DMA控制器控制其數(shù)據(jù)傳輸而不能由ARM內(nèi)核控制

3.單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于ARM公司定義的AMBA的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.AMBA由系統(tǒng)總線和外圍總線組成，二者之間通過(guò)橋接器交換信息
B.ARM芯片中的ARM內(nèi)核與AMBA的系統(tǒng)總線相連
C.ARM芯片中的測(cè)試接口（如JTAG）與AMBA的外圍總線相連
D.ARM7和ARM11采用的AMBA的版本不同

4.單項(xiàng)選擇題嵌入式系統(tǒng)工作時(shí)需要為其供電，下面與嵌入式系統(tǒng)供電相關(guān)的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.78XX系列是一類常用的直流穩(wěn)壓芯片，例如7805可以提供+5V直流電壓
B.低壓差穩(wěn)壓器常簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)DO
C.AC-DC電源模塊用于實(shí)現(xiàn)交流電到直流電的變換
D.低壓交流電可以直接用來(lái)給嵌入式處理器供電

5.單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于嵌入式處理芯片生產(chǎn)廠商的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.基于ARM7TDMI內(nèi)核的S3C44B0嵌入式處理器由韓國(guó)三星（Samsung）公司生產(chǎn)
B.基于ARM7TDMI-S內(nèi)核的LPC2000系列嵌入式處理器由荷蘭恩智浦（NXP）半導(dǎo)體司司生產(chǎn)
C.美國(guó)英特爾（Intel）公司未生產(chǎn)過(guò)基于ARM的嵌入式處理器
D.美國(guó)愛(ài)特美爾（ATMEL）公司和飛思卡爾（Freescale）公司都生產(chǎn)多個(gè)系列的基于ARM內(nèi)核的嵌入式處理器芯片