單項(xiàng)選擇題?PN結(jié)的形成過(guò)程可以簡(jiǎn)述如下（）。

A.少子漂移，多子擴(kuò)散，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡
B.多子擴(kuò)散，少子漂移，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡
C.多子擴(kuò)散，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，少子漂移，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡
D.少子漂移，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，多子擴(kuò)散，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡


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1.單項(xiàng)選擇題?設(shè)計(jì)一個(gè)高輸入電阻和高輸出電阻的放大器，需要引入的反饋類(lèi)型為（）。

A.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
B.電流并聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
D.電流串聯(lián)負(fù)反饋

2.單項(xiàng)選擇題下列參數(shù)中哪些不是描述差分放大器性能優(yōu)劣的特有的指標(biāo)？（）

A.共模增益
B.帶寬
C.共模抑制比
D.差模增益

3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)負(fù)反饋電路采用恒壓激勵(lì)，且要求恒壓輸出時(shí)，應(yīng)引入（）。

A.電流串聯(lián)負(fù)反饋
B.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋

4.單項(xiàng)選擇題?NPN晶體三極管須滿(mǎn)足的的工藝條件（）。

A.發(fā)射區(qū)高摻雜
B.集電結(jié)面積遠(yuǎn)大于發(fā)射結(jié)面積
C.基區(qū)很薄
D.以上都是

5.多項(xiàng)選擇題以下參數(shù)為放大器基本參數(shù)的是（）。

A.增益
B.帶寬
C.輸入電阻
D.輸出電阻