問(wèn)答題簡(jiǎn)述IGBT和功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求。
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2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述晶閘管觸發(fā)電路的基本組成部分。
3.問(wèn)答題晶閘管觸發(fā)電路對(duì)觸發(fā)信號(hào)的要求有哪些？
4.問(wèn)答題逆變失敗的原因是什么？
5.問(wèn)答題產(chǎn)生有源逆變的條件是什么？
6.問(wèn)答題變壓器漏抗對(duì)整流電路的影響是什么？
7.問(wèn)答題絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）的特點(diǎn)有哪些？
8.問(wèn)答題功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的特點(diǎn)有哪些？
10.問(wèn)答題如何選用晶閘管（電流定額、電壓定額）？
最新試題
由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)理想運(yùn)放，當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
題型：判斷題
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會(huì)下降。
題型：判斷題
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型：判斷題
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來(lái)一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
9個(gè)JK觸發(fā)器，通過(guò)電路設(shè)計(jì)，可以接成（）進(jìn)制以內(nèi)的，任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
將任意一個(gè)無(wú)效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說(shuō)明，這個(gè)電路具有自起功能。
題型：判斷題
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
全加器的輸出信號(hào)是（）
題型：多項(xiàng)選擇題