問答題

【簡答題】IGBT有哪些突出優(yōu)點？

答案： IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅動型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、...
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【簡答題】描述GTR的二次擊穿特性。
答案： GTR的集電極電壓升高至前面所述的擊穿電壓時，集電極電流迅速增大，這種首先出現(xiàn)的擊穿是雪崩擊穿，被稱為一次擊穿。出現(xiàn)一次...
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【簡答題】說明GTO的關斷原理。
答案：

普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。
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