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單項(xiàng)選擇題在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)’’表示帶（）個(gè)電荷。

A.-1
B.+2
C.-2
D.+1

1.單項(xiàng)選擇題熱缺陷可以分為（）類。

A.1
B.2
C.3
D.4

2.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)缺陷根據(jù)成分可以分為（）類。

A.1
B.2
C.3
D.4

3.單項(xiàng)選擇題晶體結(jié)構(gòu)缺陷按照其尺度范圍（即按照偏離理想結(jié)構(gòu)的周期性有規(guī)律排列的區(qū)域大小）來分類，可分為（）類。

A.2
B.3
C.4
D.6

4.單項(xiàng)選擇題晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷在溫度為（）時(shí)才能生成。

A.0K
B.>298K
C.>0K
D.>0℃

5.多項(xiàng)選擇題高聚物的熱轉(zhuǎn)變有（）。

A.玻璃化轉(zhuǎn)變
B.黏性流動(dòng)
C.熔化
D.汽化