放大電路如下圖所示,當(dāng)RF增加時(shí),該電路的通頻帶()。
A.變寬
B.變窄
C.不變
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電路如下圖所示,R1、R2支路引入的反饋為()。
A.串聯(lián)電壓負(fù)反饋
B.正反饋
C.并聯(lián)電壓負(fù)反饋
A.同相輸入信號電壓高于反相輸入信號
B.同相輸入信號電壓高于反相輸入信號,并引入負(fù)反饋
C.反相輸入信號電壓高于同相輸入信號,并引入負(fù)反饋
D.反相輸入信號電壓高于同相輸入信號,并開環(huán)
A.閉環(huán)放大倍數(shù)越大
B.開環(huán)放大倍數(shù)越大
C.抑制漂移的能力越強(qiáng)
D.對放大倍數(shù)沒有影響
A.放大差模信號,抑制共模信號
B.放大共模信號,抑制差模信號
C.放大差模信號和共模信號
D.差模信號和共模信號都不放大
A.輸入電阻
B.信號源內(nèi)阻
C.負(fù)載電阻
A.輸入電阻高,輸出電阻低
B.輸入電阻低,輸出電阻高
C.輸入,輸出電阻都很高
D.輸入,輸出電阻都很低
如圖所示的放大電路()。
A.不能穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)
B.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn),但比無二極管D的電路效果要差
C.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)且效果比無二極管D的電路更好
已知某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則在UDS=10V,UGS=0V處的跨導(dǎo)gm約為()。
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則該場效應(yīng)管為()。
A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道增強(qiáng)型MOS管
C.P溝道增強(qiáng)型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管
某電路如下圖所示,晶體管集電極接有電阻RC,根據(jù)圖中的數(shù)據(jù)判斷該管處在()。
A.截止?fàn)顟B(tài)
B.放大狀態(tài)
C.飽和狀態(tài)
最新試題
放大電路采用復(fù)合管是為了增大放大倍數(shù)和輸入電阻。
振蕩器之所以能獲得單一頻率的正弦波輸出電壓,是依靠了振蕩器中的()。
電路如圖所示,參數(shù)選擇合理,若要滿足振蕩的相應(yīng)條件,其正確的接法是()。
雙極晶體管放大電路共射極接法所對應(yīng)的場效應(yīng)管放大電路是()接法。
OCL功率放大電路如圖所示,當(dāng)ui為正半周時(shí),則()。
欲提高功率放大器的效率,常需要()。
當(dāng)有用信號的頻率介于2500Hz與3000Hz之間時(shí),應(yīng)采用的最佳濾波電路是()。
在多級放大電路中,功率放大級常位于()。
某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則該場效應(yīng)管為()。
某功率放大電路的工作狀態(tài)如下圖所示,靜態(tài)工作點(diǎn)Q靠近截止區(qū),這種情況稱為()。