簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。

井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí)，發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的，與介質(zhì)的電阻率（）。

在相同的外加磁場(chǎng)中，不同的原子核的進(jìn)動(dòng)頻率（）。

核磁共振測(cè)量結(jié)果幾乎不受（）影響。

微電阻率成像測(cè)井無效（壞）電極數(shù)不應(yīng)超過（）。

影響核磁共振測(cè)井的主要因素包括（）、孔隙流體及巖石的潤濕性和地層磁化率差異。

微電阻率電成像反映地層特征（裂縫、溶洞、層界面等）清晰，與聲成像具有（）。

在（）的概念中，沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是：沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素，沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。

非彈性—俘獲模式主要記錄的地層信息有哪些？

水平井中氣水兩相流動(dòng)時(shí)的流型有哪些？