電路如圖所示，晶體管的β＝80，r_be＝1kΩ。
（1）求出Q點；
（2）分別求出R_L＝∞和R_L＝3kΩ時電路的、R_i和R_o。

電路如圖所示，晶體管的β＝100，r_bb’＝100Ω。
（1）求電路的Q點、、R_i和R_o；
（2）若改用β＝200的晶體管，則O點如何變化？
（3）若電容C_e開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？

在下圖所示電路中，設(shè)靜態(tài)時I_CQ＝2mA，晶體管飽和管壓降U_CES＝0.6V。試問：當(dāng)負(fù)載電阻R_L＝∞和R_L＝3kΩ時電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？

已知如圖所示電路中晶體管的β＝100，r_be＝1.4kΩ
（1）現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降U_CEQ＝6V，估算R_b約為多少千歐？
（2）若測得的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻R_L約為多少千歐？

若將下圖所示電路中的NPN型管換成PNP型管，其它參數(shù)不變，則為使電路正常放大電源應(yīng)作如何變化？Q點、、R_i和R_o變化嗎？如變化，則如何變化？若輸出電壓波形底部失真，則說明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除？