A.預(yù)處理階段
B.編譯階段
C.匯編階段
D.鏈接階段
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A.局部性較好的程序有較高的不命中率
B.局部性較好的程序有較高的命中率
C.局部性較好的程序有較高的緩存速度
D.局部性較差的程序有較高的緩存速度
A.2s
B.2t
C.2s-1
D.2t-1
A.寄存器
B.主存
C.磁盤
D.外設(shè)
A.沒關(guān)系
B.步長越大,空間局部性越好
C.步長越小,空間局部性越好
D.步長在特定情況下影響空間局部性
A.(盤面,磁道)
B.(盤面,扇區(qū))
C.(盤面,扇區(qū),柱面)
D.(盤面,磁道,扇區(qū))
最新試題
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
軟件堆棧在工作中()移動(dòng)。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。
使用硬件堆棧時(shí),其中()移動(dòng)。
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為()。
()又稱字選法,所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來的影響主要是()。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()
主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成?()