從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

使用硬件堆棧時，其中（）移動。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補碼E.數(shù)據(jù)校驗F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補碼直接參與運算，其中（）加減法運算的實現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補碼加減法運算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運算后，若兩個符號位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運算中數(shù)值位向符號位進位，或符號位向更高位進位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個進位輸出的（）操作來判斷。

從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對于同一個數(shù)值，它的（）與補碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號位相反。（2）浮點數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實用中把浮點數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項處理稱之為（）。

從給定的選項中選擇認為正確的一項。A.存儲矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性（1）無論是動態(tài)存儲器還是靜態(tài)存儲器，都是由（）、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。（2）在Cache的三種映像方式中，（）實際上是對另外兩種映像方式的折中，是它們的普遍形式。（3）計算機存儲系統(tǒng)中，（）是解決運行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。（4）虛擬存儲器有三種地址空間，其中（）用于存放運行的程序和數(shù)據(jù)。（5）多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)，是建立在程序運行的（）原理之上的。

已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補，正確結(jié)果為（）。

在現(xiàn)代計算機系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機器指令編寫的程序可以由（）進行解釋。