單項(xiàng)選擇題一個(gè)DRAM芯片的超單元被組織成一個(gè)4行4列的陣列,每個(gè)超單元都由8個(gè)DRAM單元組成,那么這個(gè)DRAM總共存儲(chǔ)了()位信息

A.16
B.32
C.64
D.128


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1.單項(xiàng)選擇題跟DRAM相比,SRAM的特點(diǎn)是()

A.每位晶體管數(shù)目多,訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間短,抗干擾強(qiáng),花費(fèi)高
B.每位晶體管數(shù)目多,訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間長(zhǎng),抗干擾強(qiáng),花費(fèi)高
C.每位晶體管數(shù)目少,訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間長(zhǎng),抗干擾弱,花費(fèi)高
D.每位晶體管數(shù)目少,訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間短,抗干擾強(qiáng),花費(fèi)低

3.單項(xiàng)選擇題一個(gè)包含加載操作的程序的性能()

A.只依賴(lài)于加載單元的延遲
B.只依賴(lài)于流水線(xiàn)的能力
C.既依賴(lài)于流水線(xiàn)的能力,也依賴(lài)于加載單元的延遲
D.對(duì)加載單元的延遲和流水線(xiàn)的能力都不依賴(lài)

最新試題

()又稱(chēng)為萬(wàn)國(guó)碼,是由許多語(yǔ)言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號(hào)的字符編碼方案。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫(xiě)的程序可以由()進(jìn)行解釋。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)的I/O接口是()之間的交接界面。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

將十六進(jìn)制數(shù)(2BA)16化成十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)采用總線(xiàn)結(jié)構(gòu)的好處是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電,使得RAM成為了()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題