單項(xiàng)選擇題寄存器堆棧不具有的特點(diǎn)是()

A.按照FILO方式工作
B.不需要占用內(nèi)存
C.必須要使用計(jì)數(shù)器表示是否??栈驐M
D.容量可擴(kuò)充


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1.單項(xiàng)選擇題下列尋址方式中,操作數(shù)的地址不需要通過(guò)計(jì)算就可以得到的是()

A.變址尋址
B.間接尋址
C.相對(duì)尋址
D.基址尋址

2.單項(xiàng)選擇題指令的跳躍尋址方式中,()

A.下一條指令的地址在PC中
B.下一條地址的AR中
C.下一條地址在指令中給出
D.下一條地址需要通過(guò)運(yùn)算才能得到

4.單項(xiàng)選擇題利用()指令可以使CPU暫停。

A.MOV
B.HLT
C.PUSH
D.NOP

5.單項(xiàng)選擇題下列不屬于算術(shù)運(yùn)算類指令的是()

A.ADD
B.SUB
C.DEC
D.MOV

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計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級(jí)觀察者角度看到的機(jī)器被稱為(),只需要通過(guò)該級(jí)語(yǔ)言來(lái)了解和使用。

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從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。

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已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

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計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

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動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。

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硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算,其中()加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單,電路實(shí)現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要(),否則無(wú)法確定是否正確。(4)使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后,若兩個(gè)符號(hào)位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運(yùn)算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位,或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的()操作來(lái)判斷。

題型:?jiǎn)柎痤}

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題