A.磁場(chǎng)具有能的性質(zhì)
B.磁場(chǎng)具有力的性質(zhì)
C.磁場(chǎng)可以相互作用
D.磁場(chǎng)也是由分子組成
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A.總是有害的
B.是自感現(xiàn)象
C.是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象
D.是直流電通入感應(yīng)爐時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電流
A.灰鑄鐵
B.球磨鑄鐵
C.45鋼
D.青銅
A.變大
B.變小
C.不變
D.無(wú)法判定
A.“Y軸衰減”與“X軸位移”
B.“Y軸位移”與“X軸衰減”
C.“Y軸衰減”與“X軸衰減”
D.“Y軸位移”與“X軸位移”
A.一
B.兩
C.三
D.四
最新試題
由555定時(shí)器組成的多諧振蕩器只有直接置0端接()時(shí),才可輸出矩形脈沖。
直流調(diào)速系統(tǒng)中磁場(chǎng)回路缺相,應(yīng)檢查()電源板的數(shù)據(jù)是否正確,再檢查各有關(guān)的二極管與熔斷器。
電力功率調(diào)整器控制負(fù)載中(),是通過(guò)在電源的零點(diǎn)處進(jìn)行通斷控制,通過(guò)改變占空比控制負(fù)載的功率。
高頻淬火與中頻淬火其主要區(qū)別在于頻率不同,高頻頻率范圍為()。中頻頻率范圍為()。
調(diào)功器不觸發(fā)或某一電路為零,其產(chǎn)生的原因不包括()。
用ICT-33C型數(shù)字集成電路測(cè)試儀判別555芯片好壞,下列說(shuō)法正確的是()。
對(duì)于臨時(shí)供用電設(shè)備,下列選項(xiàng)中,不符合電箱設(shè)置的要求是()。
下列不屬于電容耦合電路特性的是()。
電磁轉(zhuǎn)差離合器調(diào)速系統(tǒng)當(dāng)負(fù)載轉(zhuǎn)矩小于10%額定轉(zhuǎn)矩時(shí),控制特性顯著惡化,負(fù)載將無(wú)法運(yùn)轉(zhuǎn)而發(fā)生失控現(xiàn)象,因而機(jī)械特性存在()。
現(xiàn)在變頻調(diào)速器基本系用16位、32位單片機(jī)或DSP為控制核心,從而實(shí)現(xiàn)全數(shù)字化控制。其控制電路包括()。