問答題我國墻體材料的改革趨勢是什么?墻體材料有哪幾大類?
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1.單項選擇題一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
A.1/4;
B.1/e;
C.1/e2;
D.1/2
2.單項選擇題硅片拋光在原理上不可分為()
A.機械拋光法
B.化學拋光法
C.手工拋光法
D.機械--化學拋光法
3.單項選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
4.單項選擇題如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
A.施主
B.受主
C.復合中心
D.兩性雜質
5.單項選擇題在通常情況下,GaN呈()型結構。
A.纖鋅礦型;
B.閃鋅礦型;
C.六方對稱性;
D.立方對稱性
6.單項選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
7.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向()
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
8.單項選擇題光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
A.光子效應
B.霍爾效應
C.熱電效應
D.壓電效應
9.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
10.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
A.氧及其相關缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質
D.材料中的缺陷密度及其分布
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影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
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用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
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題型:多項選擇題