單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種（）結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。

A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端


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1.單項(xiàng)選擇題有關(guān)MOSFET的通態(tài)電阻，表述正確的是（）

A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù)，不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流不利。

3.單項(xiàng)選擇題晶閘管門極的控制作用，表述正確的是（）

A.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦無電流，則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦加反向電壓，則晶閘管就立即關(guān)斷。

4.單項(xiàng)選擇題GTR典型輸出特性分為（）

A.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。

6.單項(xiàng)選擇題關(guān)于逆變角，如下表述正確的是（）。

A.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止逆變時的輸出電流過小。
B.限制逆變角的最大值，其目的是為了防止逆變失敗而無法工作。
C.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止輸出電壓太小而無法工作。
D.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止逆變失敗。