若向一個SRAM單元寫入1,則需置BL=1,~BL=0,WL=1。請問,此時SRAM結構圖中的晶體管M1~M6哪些處于連通狀態(tài)?()
A.M6
B.M4
C.M1
D.M5
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A.不斷加深流水線級數,總能獲得性能上的提升
B.指令間的數據相關可能會引發(fā)數據冒險,可以通過數據轉發(fā)或暫停流水線來解決
C.流水線技術不僅能夠提高執(zhí)行指令的吞吐率,還能減少單條指令的執(zhí)行時間
D.流水級劃分應盡量均衡,吞吐率會受到最慢的流水級影響
A.beq rs,rt,imm16
B.lw rt,imm16(rs)
C.sw rt,imm16(rs)
D.addu rd,rs,rt
A.都需要一個或多個帶移位功能的寄存器
B.32位運算都需要64位寄存器保存操作數或運算結果
C.都需要使用加法器進行中間結果的運算
D.都可以通過并行產生中間結果提高效率
以使用獨立DMAC進行外設到內存的傳送為例(結構簡圖如下),主要過程可分為如下8步:
?(1)CPU設置DMAC內部配置寄存器
?(2)()
?(3)I/O接口向DMAC發(fā)出DMA傳送申請
?(4)()
?(5)()
?(6)()
?(7)重復第(5)(6)步,直到本次DMA傳送完成
?(8)返回第(2)步,等待下一次DMA傳送申請
現需將下列操作填入步驟中空缺的內容,應該按照什么順序填入?()
a.DMAC向存儲器發(fā)起總線寫傳輸
b.DMAC響應I/O接口的申請
c.DMAC處于空閑等待狀態(tài)
?d.DMAC向I/O接口發(fā)起總線讀傳輸
A.dbac
B.bdac
C.adcb
D.cbda
下圖指示了可屏蔽中斷的響應和處理過程,其中哪個步驟是在讀取中斷向量?()
A.2
B.4
C.6
D.9
最新試題
從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復雜(1)微程序控制器是通過()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號被讀出后,還需經過一個()送到被控制部件。(3)相對硬連線控制器,微程序控制器的設計與實現()。(4)為了獲得快一些的運行速度,控制器部件應選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
從給定的選項中選擇認為正確的一項。A.存儲矩陣B.全相聯映像C.組相聯映像D.虛擬存儲器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性(1)無論是動態(tài)存儲器還是靜態(tài)存儲器,都是由()、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。(2)在Cache的三種映像方式中,()實際上是對另外兩種映像方式的折中,是它們的普遍形式。(3)計算機存儲系統中,()是解決運行大程序主存空間不足所使用的技術。(4)虛擬存儲器有三種地址空間,其中()用于存放運行的程序和數據。(5)多級結構存儲器系統,是建立在程序運行的()原理之上的。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補碼E.數據校驗F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應的邏輯電路組成的。(2)定點數的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補碼直接參與運算,其中()加減法運算的實現規(guī)則最簡單,電路實現也最方便。(3)執(zhí)行補碼加減法運算一定要(),否則無法確定是否正確。(4)使用雙符號位執(zhí)行加減法運算后,若兩個符號位不同,即出現01和10,表示運算結果()。(5)在數值運算中數值位向符號位進位,或符號位向更高位進位產生的溢出,可以用這兩個進位輸出的()操作來判斷。
計算機系統是可以分層的,在某級觀察者角度看到的機器被稱為(),只需要通過該級語言來了解和使用。
存儲器堆棧需要設置一個專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。
在計算機存儲層次結構中,以下哪種存儲器技術能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()
在堆棧計算機中,保存操作數和運算結果的唯一場所是()。
計算機的I/O接口是()之間的交接界面。