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問答題

【簡答題】對某晶體的缺陷測定生成能為84KJ/mol，計算該晶體在1000K和1500K時的缺陷濃度。

答案：

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【簡答題】（a）在MgO晶體中，肖特基缺陷的生成能為6ev，計算在25℃和1600℃時熱缺陷的濃度。（b）如果MgO晶體中，含有百萬分之一mol的Al2O3雜質(zhì)，則在1600℃時，MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢？說明原因。

答案：

【簡答題】
Si和Al原子的相對質(zhì)量非常接近（分別為28.09和26.98），但是SiO2和Al2O3的密度相差很大，（分別為2.65g／cm³，3.96g／cm³ ）。試計算SiO2和Al2O3的堆積密度，并用晶體結(jié)構(gòu)及鮑林規(guī)則說明密度相差大多的原因。

答案：

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