25℃時(shí),以氟電極作正極、飽和甘汞電極作負(fù)極,進(jìn)行電位法測(cè)定。取含氟離子溶液10.00mL,稀釋至100.00mL,測(cè)得的電動(dòng)勢(shì)為-320mV。加入1.00×10-2mol·L-1氟標(biāo)準(zhǔn)液1.00mL后,測(cè)得電動(dòng)勢(shì)為-335mV。計(jì)算試液中氟離子的含量。
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S1口控制面不包含哪個(gè)子層()
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NAS架構(gòu)較SA架構(gòu)的區(qū)別()
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()發(fā)送側(cè)一個(gè)進(jìn)程在發(fā)送等待該進(jìn)程的HARQ反饋信息時(shí),可以使用另一個(gè)HARQ進(jìn)程繼續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)包,從而提高峰值速率
下述RAID技術(shù)沒有數(shù)據(jù)冗余的是()
檢驗(yàn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)的(),在投入使用前應(yīng)進(jìn)行校準(zhǔn)
下面哪個(gè)是應(yīng)用使能平臺(tái)()。