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問答題

【簡答題】使外部RAM 2000H單元內(nèi)容的高兩位置“1”，其余位變反。試編寫程序。

答案：

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【簡答題】將內(nèi)部RAM 30H單元的內(nèi)容求補(bǔ)后，送到31H單元。試編寫程序。

答案：

【簡答題】將外部RAM 3100H單元的內(nèi)容求補(bǔ)后，送回原單元中。試編寫程序。

答案：

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