A.采用多項并聯(lián)的模式
B.開關(guān)管內(nèi)置，提高電源的開關(guān)頻率
C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容
D.增大輸出濾波電感量
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A.采樣->量化->編碼
B.采樣->編碼->量化
C.編碼->采樣->量化
D.量化->編碼->采樣
A.五價
B.四價
C.三價
D.二價
A.保持時間
B.恢復(fù)時間
C.穩(wěn)定時間
D.建立時間
A.CRC校驗
B.海明碼校驗
C.多種校驗方式的組合
D.奇偶校驗
A.SRAM需要定時刷新，否則數(shù)據(jù)會丟失
B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息
C.SRAM的集成度高于DRAM
D.只要不掉點，DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會丟失
最新試題
DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測器主要有PIN管和APD管兩種，對APD管來說，其接收光功率過載點為（）dBm。
在RS232串口中，采用哪一種校驗方式：（）。
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
中繼器、以太網(wǎng)交換機、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上？（）
通過U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到（）。
眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動、噪聲和衰減。（）
光交叉處理（）的調(diào)度，通常與所承載的業(yè)務(wù)類型（）。（）處理電信號的調(diào)度，與所承載的業(yè)務(wù)類型（）
本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。（）
模擬信號數(shù)字化的過程是（）。