光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。