CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

常壓的硅外延方法有（）。