刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

光刻工藝的特點包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。