單項(xiàng)選擇題下列場效應(yīng)管中，無原始導(dǎo)電溝道的為（）。
A.N溝道JFET
B.增強(qiáng)~AIPMOS管
C.耗盡型NMOS管
D.耗盡型PMOS管
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)UGS＝0時(shí)，（）管不可能工作在恒流區(qū)。
A.JFET
B.增強(qiáng)型MOS管
C.耗盡型MOS管
D.NMOS管
2.單項(xiàng)選擇題（）具有不同的低頻小信號(hào)電路模型。
A.NPN型管和PNP型管
B.增強(qiáng)型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管
C.N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管
D.晶體管和場效應(yīng)管
3.單項(xiàng)選擇題輸入（）時(shí)，可利用H參數(shù)小信號(hào)電路模型對(duì)放大電路進(jìn)行交流分析。
A.正弦小信號(hào)
B.低頻大信號(hào)
C.低頻小信號(hào)
D.高頻小信號(hào)
4.單項(xiàng)選擇題根據(jù)國產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法可知，3DG6為（）。
A.NPN型低頻小功率硅晶體管
B.NPN型高頻小功率硅晶體管
C.PNP型低頻小功率鍺晶體管
D.NPN型低頻大功率硅晶體管
5.單項(xiàng)選擇題
某NPN型管電路中，測(cè)得UBE=0V，UBC=—5V，則可知管子工作于（）狀態(tài)。
A.放大
B.飽和
C.截止
D.不能確定
最新試題
組成多級(jí)放大器的目的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
三種組態(tài)放大電路中，具有電壓反相作用的電路是：（）
題型：單項(xiàng)選擇題
遲滯比較器回差電壓的大小體現(xiàn)了（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于半導(dǎo)體材料，隨溫度升高：（）
題型：單項(xiàng)選擇題
超外差調(diào)幅接收機(jī)中帶有早期接收機(jī)所沒有的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
（）既可以用來調(diào)制，又可以用來解調(diào)。
題型：單項(xiàng)選擇題
與混頻前的高頻相比中頻信號(hào)的（）未發(fā)生變化。
題型：單項(xiàng)選擇題
N溝道和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
不加反饋電路的集成運(yùn)算放大器只能做（）。
題型：單項(xiàng)選擇題