A、RSRP
B、SINR
C、RSCP
D、RSRQ
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A、SMSP
B、PIN
C、ICCID
D、MSISDN
A、ISO
B、3GPP
C、ETSI
D、GP
A、M2M Insert卡
B、M2M Plug-in卡
C、M2M Embedded卡
D、M2M Implant卡
A、USIM卡面積更小
B、USIM卡安全性更高
C、USIM提供更快的接口速率
D、USIM可以存儲更多的用戶信息
A、①和②
B、②和③
C、②
D、以上全是
最新試題
VoLTE線覆蓋(高鐵、高速、地鐵)DT覆蓋率要求是≥95%,其中覆蓋率標(biāo)準(zhǔn)是RSRP≥-110dBm&SINR≥-3B。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對呼叫建立時(shí)延有較大影響。
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
創(chuàng)建承載不成功,SGW回給的CreateSessionResponse消息的原因?yàn)椤肞GWnotresponding,處理辦法是∶()。
對于FDD-LTE,每個(gè)子幀最多只有一個(gè)PRACH資源。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
VoLTE語音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
在接入成功率指標(biāo)分析過程中,通過話統(tǒng)Counter,可以執(zhí)行的動(dòng)作為()。
由于同頻干擾兩個(gè)信號落在了同一段頻譜上,所以通過頻譜圖很難發(fā)現(xiàn)問題,此時(shí)可通過門控掃描的方式解決。