A、僅能夠帶來CRS SINR的改善
B、能夠同時(shí)帶來CRS RSRP和SINR的改善
C、僅能夠帶來CRS RSRP的改善
D、上行吞吐量的提升
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、AKA
B、EAP-SIM
C、CHAP
D、EAP-AKA
A、Gm
B、Rx
C、Mw
D、ISC
A、6
B、7
C、8
D、9
A、46dbm
B、43dbm
C、49dbm
D、40dbm
A、2跳
B、3跳
C、4跳
D、6跳
最新試題
VOLTE測試中,切換成功的判斷原則是∶UE收到源eNodeB給UE發(fā)送攜帶mobilityControlInfo的"RRC連接重配置"消息(RRCConnectionReconfiguration)。
VoLTE語音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
由于同頻干擾兩個(gè)信號落在了同一段頻譜上,所以通過頻譜圖很難發(fā)現(xiàn)問題,此時(shí)可通過門控掃描的方式解決。
LTE只需要考慮不遺漏鄰區(qū),而不需要嚴(yán)格按照信號強(qiáng)度來排序相鄰小區(qū)。
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
LTE無線基站智能關(guān)斷技術(shù)包含∶()。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對呼叫建立時(shí)延有較大影響。
對于FDD-LTE,每個(gè)子幀最多只有一個(gè)PRACH資源。