A、服務(wù)器機(jī)柜與兩路不同的交流電源連接
B、服務(wù)器機(jī)柜的雙電源模塊設(shè)備(如服務(wù)器,磁盤(pán)陣列)的每一個(gè)電源模塊分別插在2個(gè)不同的電源插座上,這2個(gè)電源插座必須與2路不同的交流電源連接
C、服務(wù)器機(jī)柜的雙電源模塊設(shè)備(如服務(wù)器,磁盤(pán)陣列)的每一個(gè)電源模塊分別插在2個(gè)不同的電源插座上,這2個(gè)電源插座只能與一個(gè)交流電源連接
D、服務(wù)器機(jī)柜的交流電源連接線不允許有轉(zhuǎn)接
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A、VoLTE
B、CSFB
C、SRVCC
D、雙待機(jī)
A、LTE中傳輸塊的信道編碼方案為T(mén)urbo編碼,編碼速率為R=1/3,它由兩個(gè)8狀態(tài)子編碼器和一個(gè)Turbo碼內(nèi)部交織器構(gòu)成
B、在Turbo編碼中使用柵格終止(TrellisTermination)方案
C、在Turbo編碼之前,傳輸塊被分割成多個(gè)段,每段的大小要與最大信息塊大小6144bit保持一致
D、使用16bit長(zhǎng)的循環(huán)冗余校驗(yàn)(CyclicRedundancyCheck,CRC)來(lái)支持錯(cuò)誤檢測(cè)
A、只支持發(fā)送分集
B、只支持空間復(fù)用。
C、不支持單天線發(fā)送
D、支持單天線發(fā)送
A、雙流傳輸從R8版本開(kāi)始引入
B、結(jié)合天線波束賦形技術(shù)與MIMO空間復(fù)用技術(shù)
C、TD-LTE的多天線增強(qiáng)型技術(shù)
D、TD-LTE建網(wǎng)的主流技術(shù)
A、能夠提高BTS的接收靈敏度,擴(kuò)大覆蓋范圍
B、改善網(wǎng)絡(luò)的通話質(zhì)量,減少誤碼率.掉話率
C、降低長(zhǎng)距離饋線引入的噪聲及干擾
D、降低手機(jī)發(fā)射功率,減少對(duì)人體輻射.
最新試題
VoLTE語(yǔ)音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括()。
TAC越大,尋呼信道容量越小。
VOLTE中用戶(hù)在IMS注冊(cè)成功后,需要周期性在IMS重注冊(cè)。
VOLTE測(cè)試中,切換成功的判斷原則是∶UE收到源eNodeB給UE發(fā)送攜帶mobilityControlInfo的"RRC連接重配置"消息(RRCConnectionReconfiguration)。
采用符號(hào)關(guān)閉的節(jié)能方式時(shí),業(yè)務(wù)信道所在符號(hào)均可根據(jù)負(fù)荷情況關(guān)閉。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。