A、載波聚合技術(shù)
B、中繼技術(shù)
C、MIMO增強(qiáng)技術(shù)
D、多點(diǎn)協(xié)作技術(shù)
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A、Home eNodeB和UE的接入層面安全
B、網(wǎng)絡(luò)層面安全
C、業(yè)務(wù)層面安全
D、UE接入控制層面安全
A、高增益
B、窄波瓣
C、寬波瓣
D、低增益
A、RSRP
B、CRS SINR
C、吞吐率
D、小區(qū)負(fù)載
A、在進(jìn)行室分設(shè)計時,一般是按照“先平層、后主干”的次序進(jìn)行:
B、“先平層設(shè)計”:對于平層面積大小靈活選用功分器或耦合器進(jìn)行功率分配。
C、“后主干設(shè)計”:主要選用耦合器從主干上耦合信號功率分配至各平層,根據(jù)主干信號功率和平層需要功率確定耦合器的耦合度。
D、如果主干線全采用耦合器,可能會引起天線口功率不平衡,因此,主干線可根據(jù)情況采用耦合器+功分器分配功率
A、雜散干擾
B、阻塞干擾
C、互調(diào)干擾
D、諧波干擾
最新試題
VOLTE中用戶在IMS注冊成功后,需要周期性在IMS重注冊。
直放站增益設(shè)置時,為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
VolTE呼叫建立時延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對呼叫建立時延有較大影響。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
對于FDD-LTE,每個子幀最多只有一個PRACH資源。
LTE無線基站智能關(guān)斷技術(shù)包含∶()。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動時,不允許發(fā)起TAU流程。
VoLTE線覆蓋(高鐵、高速、地鐵)DT覆蓋率要求是≥95%,其中覆蓋率標(biāo)準(zhǔn)是RSRP≥-110dBm&SINR≥-3B。
TAC越大,尋呼信道容量越小。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。