A、RL15TD中，通過(guò)上行鏈路自適應(yīng)輸出MCS和ATB
B、RL15TD中，通過(guò)下行鏈路自適應(yīng)輸出MCS和TBS
C、RL15TD中，PUSCH支持開(kāi)環(huán)功控，但不支持閉環(huán)功控
D、RL15TD中，PUSCH支持的最高階MCS是24階
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、DRS只在配置BF的用戶(hù)帶寬上發(fā)送
B、對(duì)于下行單用戶(hù)峰值吞吐率，TM7要比TM3高
C、對(duì)于PSS/SSS映射的時(shí)頻資源位置，TD-LTE和FDD LTE是一樣的
D、和UMTS類(lèi)似，LTE中PRACH也不需要規(guī)劃
A、CQI
B、PMI
C、RI
D、上行HARQ信息
A、發(fā)射分集
B、開(kāi)環(huán)空間復(fù)用
C、閉環(huán)空間復(fù)用
D、波束賦形
A、RS- RSRP
B、RI
C、RS-SINR
D、CQI
A、在TM3模式下，為保證系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能增大eNB兩個(gè)發(fā)射天線(xiàn)點(diǎn)間距
B、在TM3模式下，為保證系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能減小eNB兩個(gè)發(fā)射天線(xiàn)點(diǎn)間距
C、為避免TD-LTE與Wlan相互干擾，建議使用大隔離度合路器通過(guò)合路方式布放
D、為避免TD-LTE與Wlan相互干擾，建議使用新增天線(xiàn)點(diǎn)位單獨(dú)布放
最新試題
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外，網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
有關(guān)LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)線(xiàn)鏈路失?。≧LF），下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
LTE只需要考慮不遺漏鄰區(qū)，而不需要嚴(yán)格按照信號(hào)強(qiáng)度來(lái)排序相鄰小區(qū)。
由于同頻干擾兩個(gè)信號(hào)落在了同一段頻譜上，所以通過(guò)頻譜圖很難發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，此時(shí)可通過(guò)門(mén)控掃描的方式解決。
VOLTE測(cè)試中，切換成功的判斷原則是∶UE收到源eNodeB給UE發(fā)送攜帶mobilityControlInfo的"RRC連接重配置"消息（RRCConnectionReconfiguration）。
TAC越大，尋呼信道容量越小。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高，一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
SecondaryCell（SCC）∶輔小區(qū)，是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立，輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線(xiàn)資源。
LTE的規(guī)劃包括（）。